SGL50N60RUFDTU中文资料
SGL50N60RUFDTU图片
- 大小：623.5KB
- 厂家：Fairchild Semiconductor
- 描述： SHORT CIRCUIT RATED IGBT; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage, Vces:600V; Power Dissipation, Pd:250W; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C ;RoHS Compliant: Yes
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：25
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：-
- IGBT 类型：-
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：80A
- 功率 - 最大：250W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
- 供应商设备封装：TO-264
- 包装：管件
SGL50N60RUFDTU供应商
更新时间:2023-01-01 15:18:44- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
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- 封装/批号
- 说明
- 询价
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SGL50N60RUFDTU
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