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SGL50N60RUFDTU中文资料

SGL50N60RUFDTU图片

SGL50N60RUFDTU外观图

  • 大小：623.5KB
  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 描述： SHORT CIRCUIT RATED IGBT; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage, Vces:600V; Power Dissipation, Pd:250W; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：25
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，50A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：80A
  • 功率 - 最大：250W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商设备封装：TO-264
  • 包装：管件

SGL50N60RUFDTU供应商

更新时间:2023-01-01 15:18:44
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